数据中心400G/800G/1.6T DR4 硅光混合集成芯片
数据中心400G-DR4/FR4硅光混合集成芯片；数据中心800G-DR4/FR4硅光混合集成芯片；硅基集成高速电光模拟调制器芯片
描述：以硅基光电子技术为核心，基于CMOS工艺所研发的硅光芯片。
片上集成基于马赫曾德干涉仪的低驱压高带宽调制器（MZM），在电场的影响下使波导的折射率发生变化，从而实现光的相位调制，通过马赫曾德干涉仪实现相位调制到强度调制的转换。
芯片共有两种输入形式：
①1分4形式，即输入端通过两级3dB分束器将一路激光分成四路进入四个调制器中；
②独立4路形式，即4路调制器分布连接四路激光器。
图片：
特点：
l 4通道4*100Gbps/200Gbps Mach-Zehnder硅基混合集成调制器
l 工作波段1290nm-1330nm
l 高带宽响应
l 低半波电压
l 低调制啁啾
l 小尺寸
性能指标：
光电性能 | ||||
参数* | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
电光带宽1 | GHz | 40 | 45 | 50 |
电回损1 | dB | -20 | -15 | -10 |
| V | - | 2.0 | 2.8 |
RF端阻抗匹配 | Ω | - | 40 | - |
工作波长 | nm | 1290 | 1310 | 1330 |
耦合损耗2 | dB | 8.0 | 10.0 | 11.0 |
片上损耗2 | dB | 1.5 | 2.5 | 3.0 |
消光比 | dB | 18 | 22 | 25 |
光回损 | dB | -40 | -45 | - |
其它参数 | ||||
耦合方式2,3 | 光栅耦合（根据客户需求，端面耦合） | |||
输入/输出光纤类型 | 1310nm 保偏光纤 | |||
芯片尺寸 | 15.9mm * 4.9mm | |||
芯片厚度 | 725+/-15 μm | |||
工作温度 | 0-50° | |||
1采用高频探针测试带宽结果 2目前采用的是光栅耦合，一分4方式整体链路插损耦合损耗15dB（+18dBm光源，出光+3dBm），独立4路方式链路插损8.5dB； 3根据客户需求可以采用端面耦合，一分4方式整体链路插损11.6dB（+18dBm光源，出光+6.4dBm），独立4路方式链路插损耦合损耗5.1dB； | ||||
苏州易缆微半导体技术有限公司