数据中心400G-DR4/FR4硅光混合集成芯片;数据中心800G-DR4/FR4硅光混合集成芯片;硅基集成高速电光模拟调制器芯片
产品描述:以硅基光电子技术为核心,基于CMOS工艺所研发的硅光芯片。
通过马赫曾德干涉仪实现相位调制到强度调制转换:基于马赫曾德干涉仪的低驱压、高带宽调制器(MZM)在电场影响下波导折射率发生变化,实现光的相位调制。
芯片输入形式:
1分8形式,即输入端通过两级3dB分束器将一路激光分成四路进入四个调制器中;
1.6T-DR8硅光子芯片
800G-DR4硅光子芯片示意
产品特点:
·8通道高性能MZM硅基异质集成调制器
·工作波段1290-1330nm
·高带宽 (>65 GHz)
·低插损
·低驱压
·小尺寸
性能参数:
电光带宽 | 70GHz |
电回损 | -15dB |
耦合损耗 | 3dB |
片上损耗 | 9dB |
静态消光比 | 25dB |
动态消光比 | 5dB |
Heater半波电压 | 3V |
调制器负载电阻 | 40Ω |
苏州易缆微半导体技术有限公司