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数据中心1.6T DR8 硅光混合集成芯片

数据中心400G-DR4/FR4硅光混合集成芯片;数据中心800G-DR4/FR4硅光混合集成芯片;硅基集成高速电光模拟调制器芯片


产品描述:以硅基光电子技术为核心,基于CMOS工艺所研发的硅光芯片。

通过马赫曾德干涉仪实现相位调制到强度调制转换:基于马赫曾德干涉仪的低驱压、高带宽调制器(MZM)在电场影响下波导折射率发生变化,实现光的相位调制。


芯片输入形式:

1分8形式,即输入端通过两级3dB分束器将一路激光分成四路进入四个调制器中;


1.6T-DR8硅光子芯片

dr8(手册使用).png

800G-DR4硅光子芯片示意

成果75(400GDR4改耦合方式).png

 

产品特点:

·8通道高性能MZM硅基异质集成调制器

·工作波段1290-1330nm

·高带宽 (>65 GHz)

·低插损

·低驱压

·小尺寸

 

性能参数:

电光带宽70GHz
电回损-15dB
耦合损耗3dB
片上损耗9dB
静态消光比25dB
动态消光比5dB
Heater半波电压3V
调制器负载电阻40Ω

 

 

 

 

 


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苏州易缆微半导体技术有限公司

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