硅光异质集成薄膜铌酸锂单波400Gbps差分调制芯片

数据中心1.6T-DR8硅基异质集成芯片；数据中心1.6T-2*FR4硅基异质集成芯片；数据中心800G-DR4/FR4硅基异质集成芯片；硅基集成高速电光模拟调制器芯片

硅光异质集成薄膜铌酸锂单波400Gbps差分调制芯片采用完全自主知识产权8英寸晶圆级硅光异质集成薄膜铌酸锂工艺制备，利用成熟的CMOS硅光工艺和Die-to-Wafer键合工艺，实现了硅光优异的无源器件性能和薄膜铌酸锂优异的电光特性优势互补，使该芯片具备低插损、低驱压、超高带宽的优势，实测3dB电光带宽>110GHz，Vπ~3V。

此芯片采用差分驱动设计，与现有的硅光driver相兼容。芯片制备所采用的工艺具有高可靠性以及量产能力，将最大限度地缩短设计迭代和交付时间，满足客户低成本、高良率的量产要求。同时在易缆微异质集成工艺平台上，芯片可以从单波200G/1.6T平滑演进至单波400G/3.2T，有助于光模块客户实现快速迭代。