数据中心1.6T-DR8硅基异质集成芯片;数据中心1.6T-2*FR4硅基异质集成芯片;数据中心800G-DR4/FR4硅基异质集成芯片;硅基集成高速电光模拟调制器芯片
采用完全自主知识产权8英寸晶圆级硅光异质集成薄膜铌酸锂工艺制备的硅光异质集成芯片。
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以硅基光电子技术为核心,基于CMOS工艺所研发的高速硅光子芯片。
硅基异质集成高速电光调制器芯片。
4*100G PAM4 高集成度硅光子调制器芯片解决方案,将4 通道 53Gbaud 硅调制器和各种有源/无源硅光子元件集成在一个单芯片上,整体结构紧凑,密度高。
异质集成差分调制芯片 (400G/800G-DR4)。
FR4高速硅光子芯片采用4个发射不同波长的激光器,经过Mux及DeMux达到单纤200G的传输速率。
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苏州易缆微半导体技术有限公司